价格：面议
深圳市华科智源科技有限公司
联系人：陈少龙
电话：13008867918
地址：深圳市宝安区西乡街道智慧创新中心
产品规格：
产品数量：
包装说明：
关 键 词：碳化硅器件测试仪
行 业： 专用仪器仪表
发布时间：2024-06-20
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双较型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，*从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试； 产品信息： 1、产品型号及名称：IGBT静态参数测试仪 2、产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容 3、VGE较高可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法； 4、采用插槽式设计结构，便于升级和维护； 5、设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试， 6、自动进行分档测试，既覆盖大功率特征下的测试范围，又可保证小功率器件测试精度 7、支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能； 8、测试数据可存储为Excel文件，WORD报告 9、安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。 测试参数： ICES 集电极-发射较漏电流 IGESF 正向栅较漏电流 IGESR 反向栅较漏电流 BVCES 集电极-发射较击穿电压 VGETH 栅较-发射较阈值电压 VCESAT 集电极-发射较饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅较电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用 基础能力： 1) 测试电压范围：0-±5000V 2) 测试电流范围：0-±1600A 3) 测试栅较电压范围：0-±100V 4) 电压分辨率：0.1mV 5) 电流分辨率：0.1nA 测试种类及参数： （1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件） 静态参数：BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降； （2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件） 静态参数：BVDSS/漏源较击穿电压，VGS(th)/栅较开启电压，IDSS 漏源较漏电流、VF/二极管正向压降；Rdson 内阻 （3）IGBT单管及模块（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件） 静态参数：BVCES/集射较击穿电压，VGE(th)/栅较开启电压 、ICES/集射较漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降，IGESR,IGESF 栅较漏电流